Вчені створили накопичувач пам'яті для мозку

- 20.07.2011 10:48
Вчені створили накопичувач пам'яті для мозку

Електронне обладнання традиційно виготовляють з твердих крихких матеріалів, не здатних до функціонування в умовах підвищеної вологості. Працездатність створеного дослідниками університету Північної Кароліни желеобразного запам'ятовуючого пристрою, навпаки, повністю зберігається навіть в умовах, вологість яких відповідає рівню вологості тканин людського мозку.

Пристрій виготовляють з рідкого сплаву галія та індія, вкладаємого в матрицю з гелю на основі води. Існуючі на сьогоднішній день прототипи ще не оптимізовані для зберігання великих обсягів інформації, проте їх здатність чудово функціонувати в умовах, непридатних для звичайної електроніки, вселяє у розробників оптимізм.

Новий пристрій функціонує за принципом так званих "мемрістор", які в перспективі можуть стати запам‘ятовуючими пристроями нового покоління. Окремі компоненти м'якого запам'ятовуючого пристрою мають два стани: в одному вони володіють стаціонарними властивостями, а в іншому - ні. Ці два стани можна використовувати як аналоги "1" і "0", використовуваних в двійковому коді. Більшість сучасних пристроїв використовує електрони для створення "1" і "0", тоді як в новому пристрої ця роль належить іонам.

У кожній схемою запам'ятовуючого пристрою фрагменти сплаву металів виконують роль електродів, з двох сторін прилеглих до провідної ділянки гелю. При впливі позитивного заряду на поверхні такого електрода формується оболонка з оксиду, що позбавляє його провідності. Це стан відповідає "0". Під дією негативного заряду оболонка з оксиду зникає, і електрод знову стає провідним. Цей  стан відповідає "1".

У звичайних умовах вплив негативного заряду на один з кінців електрода  призводив би до переміщення позитивного заряду і формування нової оболонки з оксиду на іншому кінці, що означало б постійну відсутність у нього провідності. Для вирішення цієї проблеми розробники ввели в один край гелевой матриці полімер, що запобігає формування стабільного оксидного шару. Завдяки цьому один з електродів завжди залишається проведеним, що забезпечує можливість прийняття пристроєм двох станів "1" і "0", необхідних для функціонування електронної пам'яті.

Дослідники вважають, що в майбутньому запропоновану ними технологію можна буде використовувати для створення інтерфейсів між електронікою і біологічними системами, такими як клітини, ферменти або тканини. Однією з найбільш перспективних галузей є розробка біологічних сенсорів для медичного моніторингу вмісту в крові та інших рідинах організму гормонів, лікарських препаратів і інших речовин.


Ключові слова: принцип мемрістор, запам‘ятовуючий пристрій для мозку, схема роботи флешки для мозку

Коментарі (0)
Додати свій коментарій:
*Ім'я:
E-mail:
*Коментарій:
Символів залишилося: із
Підтвердіть, що Ви людина 
Відповідь - одне слово на тій же мові, що й питання.
Відповідь на питання «скільки» - число
Нову загадку, будь-ласка

Другие новости:

В Париже ограбили Лувр 19 октября 2025 года Лувр ограбили в Париже 19 октября
- 19.10.2025 17:32
У Парижі пограбували Лувр 19 жовтня 2025 року Сьогодні Париж, столиця світового мистецтва, переживає справжній культурний шок
- 19.10.2025 16:25
Важная новость вчера Одной из самых важных новостей 18 октября 2025 года стала информация о
- 19.10.2025 13:31
Політик Шошоаке звинуватила українську владу в утиску прав етнічних румунів Скандальна румунська євродепутат Діана Шошоаке знову
- 17.10.2025 14:35
Післяпологова депресія. Як позбутися? Поради Як повідомляє портал https://bukovina.biz.ua , у нормі після пологів жіночий організм реагує незначною втомленістю й впродовж трьох днів ...
- 17.10.2025 11:01

Всі новини